E-Beam电子束蒸发镀膜系统304不锈钢圆柱形腔体，标准直径有18英寸和24英寸，分子泵或冷凝泵；手动传片或自动传片,适合各种形状尺寸的小片到200mm大的圆片，高真空背景传递；PLC自动控制界面，菜单控制，数据获取和远程控制，QCM膜厚监控，光学膜厚监控。

金属有机化合物化学气相沉积镀膜设备 反应器的设计可以根据工艺的需要很容易提升到满足大直径晶片生产的需要。我们也能为客户设计以满足客户特殊工艺和应用的需要。系统部件包括：反应器、气体传输系统、电气控制系统和尾气处理系统.

超高真空多腔室物理气相沉积镀膜系统 该系统由专业的沉积设备商制造,配置多种沉积方式（预留各种功能接口）,高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研.

等离子体增强化学气相沉积镀膜系统 通常选用射频淋浴源（RF）或带有不规则气体分布的空心阴极射频等离子体源作为反应源产生等粒子体。 部分PECVD可以升级到PECVD & 反应离子蚀刻双功能系统（带ICP源）

等离子体增强原子层沉积镀膜系统 一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件的工具。

脉冲激光分子束外延镀膜系统 凭借着优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内外拥有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。

脉冲激光沉积镀膜系统 真空腔内照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume状等离子体状态，然后被堆积到设在对面的基板上而成膜。PLD方法可以获得拥有热力学理论上准稳定状态的组成和构造的人工合成新材料。

反应离子刻蚀设备 为达到此目的，必须对真空度，气体流量，离子加速电压等进行佳调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用磁控管施加磁场，以提高加工能力。 我司提供多型号的RIE刻蚀系统，满足国内客户研究和生产的需要。