原子层沉积镀膜系统1.ALD （传统的热原子层沉积）； 2.PEALD （等离子增强原子层沉积）； 3.Powder ALD （粉末样品的原子层沉积）；

台式pp体育直播赚钱工作怎么样 $n该系统可以作为以下功能装置：$n1，研发级R&D镀膜设备，性能优异$n2，具备所有研发级别的镀膜要求$n3，高效的沉积速率，镀膜时间快$n4， 实验室中培训的工具

金属有机化学气相沉积镀膜系统（MOCVD） 其反应器的设计可以根据工艺的需要很容易提升到满足大直径晶片生产的需要。我们也能为客户设计以满足客户特殊工艺和应用的需要。系统部件包括：反应器、气体传输系统、电气控制系统和尾气处理系统。

超高真空多功能薄膜制备系统此系统可以配置多种沉积方式（预留各种功能接口）,高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研. 高真空条件沉积模式（使用机械泵+分子泵，或冷凝泵）。多种组合沉积模式，同一腔体实现多种功能沉积方式

有机分子束沉积镀膜系统 电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等

在线量产型磁控溅射镀膜系统 高转换效率 大容量吸收，电池可靠性长达10年 抗辐射

离子束刻蚀设备 离子抛光 离子清洗 等离子体灰化 等离子体氧化、氮化 表面改性 反应刻蚀 生物医药 传感器

PECVD+RIE等离子体增强化学气相沉积设备 该系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射频（RF），可选用空阴*密度等离子体（HCD）源、感应耦合等离子体（ICP）源。大沉积尺寸为8英寸。